钽溅射靶材

材料牌号:  Ta1 Ta2 Fta1 Fta2 TaNb3 TaNb20 TaNb40 TaW2.5 TaW7.5 TaW10
                 R05200 R05400 R05255 R05252 R05240

规格范围:  可定制

材料标准:  GB∕T 3629  ASTM B708

产品描述

    迈泽恒金属可提供真空电子束熔炼和粉末冶金工艺钽溅射靶。

    根据客户的不同要求，我们采用不同的制造工艺，前期的制造工艺类似于普通钽片，只是钽靶材采用独特的轧制工艺，工艺更为复杂， 退火温度和时间的配合更加精确，从而保证了钽靶材料的晶粒尺寸小于40微米，保证了钽靶材质量。

    由于钽具有高导电性、高热稳定性和抗外来原子的特性，因此在集成电路电镀中采用溅射沉积的方法可以防止铜在硅基板上的扩散。

特点

再结晶: 95％以上

晶粒尺寸: 通常40μm以下, 最小可以控制到20μm以下。

表面粗糙度: Ra 0.4 以下

平整度: 0.1mm or 0.10％以下

尺寸公差: +/- 0.2mm

应用

    用于光纤、半导体晶片及集成电路的溅射沉积涂层；适用于玻璃、陶瓷、液晶等镀膜；用于阴极溅射镀膜、高真空吸力活性材料等。

化学成份

检测

化学成分检测；机械性能检测；超声波探伤；外观尺寸检测